近日，大连中科超硅集成技术有限公司成功获得“一种混合集成光子芯片的性能测试方法及系统”专利。该专利的获得标志着公司在光子芯片测试领域取得的的创新成就和重大突破。

　　该专利通过一系列创新技术手段，显著提升了混合集成光子芯片性能测试的精度。在温度趋势分析方面，基于不同状态下相同温度数据，构建趋势一致性因子，优化了温度数据预处理流程，有效消除了温度波动对测试结果的干扰。通过对光源驱动电流数据进行一致性分析，实现了电流一致性控制，极大减少了电流波动对测试结果的影响。采用精准光功率数据平均值计算方法，降低了光源不稳定导致的光功率偏差，确保了测试数据的准确性。​

　　此项专利技术在实际应用中具有重要价值。它能够显著提升光子芯片偏振相关损耗测量的准确率，有效解决了传统测试中因光源波动导致的测量误差问题。这一成果在5G通信、量子计算等对精度要求极高的领域具有广阔的应用前景。在5G通信中，高精度的光子芯片性能测试能够保障通信系统的稳定性和高效性；在量子计算领域，该技术为量子芯片的研发和优化提供了可靠的测试手段，助力量子计算技术的快速发展。​

　　据悉，大连中科超硅集成技术有限公司2023年8月在大连高新区成立，同年入围高新区第十四批“海创工程”。公司主要从事集成电路制造、集成电路芯片及产品制造、电子元器件制造、半导体分立器件制造等，主营业务涵盖半导体专用设备研发制造、芯片设计及封装测试、先进制程工艺开发和技术成果产业化推广等集成电路制造全产业链。

　　未来，公司将继续加大研发力度，充分发挥专利技术优势，为客户提供更优质的集成电路解决方案，推动我国集成电路产业迈向新的高度。

（三创中心供稿）